یافته‌های نوین در مشخصات و اثرات کانال کوچک ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوتیوب کربن دوگیتی

نویسندگان

  • زهرا عارفی‌نیا,
  • علی‌اصغر اروجی,
چکیده مقاله:

این مقاله چکیده ندارد

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید

This paper critically examines the Short Channel Effects (SCEs) improvement techniques for improving the performance of SOI-MOSFETs.  Also for first time, a new device structure called the Shielded Channel Multiple-Gate SOI-MOSFET (SC-MG) is introduced and designed. Using two-dimensional and two-carrier device simulation, it is demonstrated that the SC-MG exhibits a significantly reduced the el...

متن کامل

بررسی یافتههای MRI درمبتلایان به تنگی کانال نخاعی

چکیده مقدمه: تنگی کانال نخاع عبارت از باریکشدن فضا کانال با اثر فشاری بر طناب نخاعی یا ریشههای عصبی آن است و شایعترین اندیکاسیون جراحی مهرههای کمری در افراد بالای 60 ساله محسوب میشود. هدف: بررسی چگونگی و شیوع انواع یافتههای MRI در مبتلایان به تنگی کانال نخاعی کمر و ارتباط این یافتهها با سن و جنس بیماران و تعداد سطوح مبتلا و شایعترین سطح درگیری مواد و روشها: این مطالعه توصیفی به صورت مقطعی بر 11...

متن کامل

طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت دوگیتی با به‌کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (HfO2) و سیلیسیم-ژرمانیوم (SiGe) در کانالی از جنس سیلیسیم (DM-DG)

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

متن کامل

تأثیر تغییرات ساختاری گیت و کانال در بهبود مشخصات کانال کوتاه ترانزیستورهای نانولوله کربنی

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

15 صفحه اول

اثرات نانوتیوب کربن چند جداره و نانو نقره بر برخی شاخص‌های فیزیولوژیکی و ‏مورفولوژیک گیاه باقلا (‏Vicia faba L.‎‏)‏

Abstract In order to investigate the effects of nano silver and multi wall carbon nanotube levels on ‎some morphological and physiological traits of faba bean the present study was done. This ‎factorial experiment was conducted in a completely randomized design with three replications ‎and two treatments with four concentrations (0,100,200 and 300 mgl-1). The results showed ‎the total number o...

متن کامل

بهبود اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


عنوان ژورنال

دوره 29  شماره 2

صفحات  1- 9

تاریخ انتشار 2011-01

با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.

کلمات کلیدی

کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023